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Moyens de caractérisation

Banc de « caractérisation » de modules à transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

TEMA  est équipé de 2 bancs de « Caractérisation » en commutation concernant des modules de puissance.

  • Un banc de « caractérisation » électrique en commutation pour modules IGBT et Thyristors IGCT et leur mise en œuvre dans des schémas de base.
    Les limites électriques en tension sont de 4000v et en courant de 4000A. La gamme de température régulée couvre la gamme 25 - 125°C pour les boîtiers « Press-Pack », et la gamme -40 - +125°C est possible pour les modules IGBT.
  • Un banc de « caractérisation » électrique en commutation pour Thyristors GTO (Gate Turn Off) qui sont également caractérisés dans le cadre de schémas de base.
    Les limites électriques en tension sont de 1800v et en courant de 4000A. La gamme de température régulée de ces essais est comprise entre 25 et 125°C.

Sur le banc ci-dessus, on distingue la carte de pilotage en bleu; sur l'avant les 2 modules IGBT sous test et derrière le coffre contenant les condensateurs.
Cette roue expérimentale présente un grand intérêt pour l'étude de capteurs et dispositifs ferroviaires à placer près d'un rail profilé circulairement qui peut défiler jusqu'à plus de 400 Km/H (vitesse des TGV).
La circonférence de la roue est de 4m.
A titre d'exemple, une étude sur la faisabilité d'un frein linéaire a été réalisée en 1997-98 en collaboration avec la SNCF.

File written by Adobe Photoshop� 5.0
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